生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.63 |
内置保护: | TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE | 接口集成电路类型: | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T7 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 7 | 输出电流流向: | SINK |
标称输出峰值电流: | 4.4 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
最大供电电压: | 34 V | 最小供电电压: | 5 V |
标称供电电压: | 12 V | 表面贴装: | NO |
技术: | MOS | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 断开时间: | 400 µs |
接通时间: | 400 µs | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
Q67060-S6307-A5 | INFINEON |
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Smart Sense High-Side Power Switch | |
Q67060-S6307-A6 | INFINEON |
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Smart Sense High-Side Power Switch | |
Q67060-S6307-A7 | INFINEON |
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Smart Sense High-Side Power Switch | |
Q67060-S6309 | INFINEON |
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Smart Highside High Current Power Switch | |
Q67060-S6310 | INFINEON |
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Smart Highside High Current Power Switch | |
Q67060-S6500-A2 | ETC |
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TRANSISTOR HITFET | |
Q67060-S6501-A2 | ETC |
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TRANSISTOR HITFET | |
Q67060-S6502-A2 | INFINEON |
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Smart Lowside Power Switch | |
Q67060-S6502-A3 | INFINEON |
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Smart Lowside Power Switch | |
Q67060-S6503-A2 | INFINEON |
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Smart Lowside Power Switch |