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Q67060-S6500-A2

更新时间： 2024-01-28 23:32:50

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10页	141K
描述
TRANSISTOR HITFET

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Q67060-S6500-A2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
功能数量：	1	端子数量：	3
输出电流流向：	SINK	标称输出峰值电流：	3.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	表面贴装：	NO
技术：	MOS	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	断开时间：	150 µs
接通时间：	70 µs	Base Number Matches：	1

Q67060-S6500-A2 数据手册

HITFET BTS 117

Smart Lowside Power Switch

Features

Product Summary

Drain source voltage

On-state resistance

Current limit

• Logic Level Input

• Input Protection (ESD)

• Thermal Shutdown

• Overload protection

• Short circuit protection

100

mΩ

DS(on)

D(lim)

Nominal load current

Clamping energy

3.5 A

D(ISO)

1000 mJ

• Overvoltage protection

• Current limitation

• Status feedback with external input resistor

• Analog driving possible

Application

• All kinds of resistive, inductive and capacitive loads in switching or

linear applications

• µC compatible power switch for 12 V and 24 V DC applications

• Replaces electromechanical relays and discrete circuits

General Description

N channel vertical power FET in Smart SIPMOS chip on chip tech-

nology. Fully protected by embedded protected functions.

LOAD

Drain

Overvoltage

protection

Current

dv/dt

limitation

lim itation

Over-

temperature

protection

Overload

protection

Short circuit

ESD

protection

Source

HITFET

Page 1

13.07.1998

Semiconductor Group

12 3 4 5 6 7...10

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