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Q67060-S6187

更新时间： 2024-09-29 04:34:03

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SIPMOS㈢ Power-Transistor

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Q67060-S6187 数据手册

SPB80N06S-08

SPI80N06S-08, SPP80N06S-08

SIPMOS^®Power-Transistor

Product Summary

V_DS

Features

7.7

• N-channel - Enhancement mode

• Automotive AEC Q101 qualified

_DS(on),max(SMD version)

mΩ

I _D

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Avalanche test

P-TO263-3-2

P-TO262-3-1

P-TO220-3-1

• Repetive Avalanche up to

V_DD=30 V, I_D=80 A, V_GS=10 V, R_G=2.4 Ω

_jmax= 175 °C

• dv /dt rated

Type

Package

Ordering Code Marking

SPB80N06S-08

SPI80N06S-08

SPP80N06S-08

P-TO263-3-2

P-TO262-3-1

P-TO220-3-1

Q67060-S6185

1N0608

T _C=25 °C, V_GS=10 V

Q67060-S6187

1N0608

T _C=100 °C, V_GS=10 V

Q67060-S6186

1N0608

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25 °C, V_GS=10 V

T _C=100 °C, V_GS=10 V

320

700

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E_AS

T _C=25 °C

I _D=80 A, R _GS=25 Ω,

Avalanche energy, single pulse

_DD=25 V

Avalanche energy, periodic²⁾

E_AR

T _j≤175 °C

I _D=80 A, V_DS=40 V,

di/dt =200 A/µs,

Reverse diode dv /dt ²⁾

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

V_GS

Gate source voltage

±20

300

P_tot

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.0

page 1

2004-11-30

12 3 4 5 6 7 8

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