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Q67050-A4113

更新时间： 2024-01-14 19:51:26

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	68K
描述
IGBT Chip in NPT-technology

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Q67050-A4113 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.57	Base Number Matches：	1

Q67050-A4113 数据手册

SIGC16T120CS

IGBT Chip in NPT-technology

FEATURES:

1200V NPT technology

180µm chip

short circuit prove

positive temperature coefficient

easy paralleling

This chip is used for:

SGP07N120

Applications:

drives, SMPS, resonant

applications

Chip Type

V_CE

I_Cn

Die Size

4.04 x 4 mm²

Package

Ordering Code

SIGC16T120CS

1200V 8A

sawn on foil Q67050-A4113

MECHANICAL PARAMETER:

mm²

Raster size

4.04 x 4

Area total / active

Emitter pad size

Gate pad size

16.16 / 10.4

1.88x2.18

0.71x1.08

Thickness

200

150

µm

deg

Wafer size

Flat position

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Emitter metalization

898 pcs

Photoimide

3200 nm Al Si 1%

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Collector metalization

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, £500µm

Reject Ink Dot Size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended Storage Environment

Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 7131-S, Edition 2, 03.09.2003

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