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Q67050-A4149-A101

更新时间： 2024-01-06 23:51:48

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英飞凌 - INFINEON		栅
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Insulated Gate Bipolar Transistor

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Q67050-A4149-A101 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.57	Base Number Matches：	1

Q67050-A4149-A101 数据手册

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SIGC05T60SNC

IGBT Chip in NPT-technology

FEATURES:

This chip is used for:

600V NPT technology

100µm chip

short circuit prove

positive temperature coefficient

easy paralleling

DuoPack SGP04N60

Applications:

drives

Chip Type

V_CE

I_Cn

Die Size

Package

Ordering Code

Q67050-A4149-

A101

SIGC05T60SNC

600V

2.29 x 2.29 mm²

sawn on foil

MECHANICAL PARAMETER:

mm²

Raster size

2.29 x 2.29

5.2 / 3.2

1.38 x 0.93

0.7 x 0.5

100

Area total / active

Emitter pad size

Gate pad size

Thickness

µm

deg

Wafer size

150

Flat position

180

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Emitter metallization

2990

Photoimide

3200 nm Al Si 1%

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Collector metallization

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al,£500µm

Reject Ink Dot Size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended Storage Environment

Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L7202-S, Edition 2, 28.11.2003

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