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Q67050-A4114

更新时间： 2024-02-19 13:04:48

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管双极性晶体管
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描述
IGBT Chip in NPT-technology

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Q67050-A4114 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.57	Is Samacsys：	N
Base Number Matches：	1

Q67050-A4114 数据手册

SIGC25T120CS

IGBT Chip in NPT-technology

FEATURES:

This chip is used for:

1200V NPT technology

180µm chip

low turn-off losses

short tail current

positive temperature coefficient

easy paralleling

Applications:

drives, SMPS, resonant

applications

Chip Type

V_CE

I_Cn

Die Size

Package

Ordering Code

SIGC25T120CS

1200V 15A

5.71 x 4.53 mm²

sawn on foil Q67050-A4114

MECHANICAL PARAMETER:

mm²

Raster size

5.71 x 4.53

Emitter pad size

Gate pad size

2 x (2.18 x 1.6)

1.09 x 0.68

25.9 / 18.7

180

Area total / active

Thickness

µm

grd

Wafer size

150

Flat position

270

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Emitter metallization

555 pcs

Photoimide

3200 nm Al Si 1%

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Collector metallization

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject Ink Dot Size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended Storage Environment

Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 7141-S, Edition 2, 03.09.2003

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