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Q67050-A4115-A001

更新时间： 2024-09-23 04:34:03

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管双极性晶体管
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描述
IGBT Chip in NPT-technology

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Q67050-A4115-A001 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.57	Is Samacsys：	N
Base Number Matches：	1

Q67050-A4115-A001 数据手册

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SIGC06T120CS

IGBT Chip in NPT-technology

FEATURES:

This chip is used for:

SGP02N120

1200V NPT technology

180µm chip

short circuit prove

positive temperature coefficient

easy paralleling

Applications:

drives, SMPS, resonant

applications

Chip Type

V_CE

I_Cn

Die Size

Package

Ordering Code

Q67050-A4115-

A001

2.45 x 2.25 mm²

sawn on foil

SIGC06T120CS

1200V 2A

MECHANICAL PARAMETER:

mm²

Raster size

2.45 x 2.25

5.512 / 2.5

1.03x1.29

0.42x0.56

180

Area total / active

Emitter pad size

Gate pad size

Thickness

µm

deg

Wafer size

150

Flat position

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Emitter metalization

2794 pcs

Photoimide

3200 nm Al Si 1%

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Collector metalization

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, £500µm

Reject Ink Dot Size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended Storage Environment

Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 7251-S, Edition 2, 03.09.2003

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