生命周期: | Active | 包装说明: | DIE-1 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.40 | 风险等级: | 5.63 |
应用: | FAST SOFT RECOVERY | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | S-XXUC-N1 | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电流: | 100 A | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | UNCASED CHIP |
最大重复峰值反向电压: | 1200 V | 最大反向电流: | 27 µA |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | UNSPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
Q67050-A4134-A001 | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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Q67050-A4135-A001 | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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Q67050-A4139-A001 | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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Q67050-A4143-A001 | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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Q67050-A4147-A001 | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
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Q67050-A4148-A001 | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
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Q67050-A4149-A101 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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Q67050-A4150-A001 | INFINEON |
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Fast switching diode chip in EMCON-Technology |
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Q67050-A4151-A001 | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
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Q67050-A4155-A001 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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