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Q62702-C1681

更新时间: 2024-09-14 22:44:11
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 138K
描述
PNP Silicon AF Transistors (For general AF applications High current gain)

Q62702-C1681 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.59最大集电极电流 (IC):0.8 A
集电极-发射极最大电压:32 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHzBase Number Matches:1

Q62702-C1681 数据手册

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PNP Silicon AF Transistors  
BCW 67  
BCW 68  
For general AF applications  
High current gain  
Low collector-emitter saturation voltage  
Complementary types: BCW 65, BCW 66 (NPN)  
Package1)  
Type  
Marking  
Ordering Code  
(tape and reel)  
Pin Configuration  
1
2
3
BCW 67 A  
BCW 67 B  
BCW 67 C  
BCW 68 F  
BCW 68 G  
BCW 68 H  
DAs  
DBs  
DCs  
DFs  
DGs  
DHs  
Q62702-C1560  
Q62702-C1480  
Q62702-C1681  
Q62702-C1893  
Q62702-C1322  
Q62702-C1555  
B
E
C
SOT-23  
1)  
For detailed information see chapter Package Outlines.  
5.91  
Semiconductor Group  
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