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PZT2907A

更新时间： 2024-06-27 12:13:04
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合科泰 - HOTTECH /
页数 文件大小 规格书
4页 534K
描述
SOT-223

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PZT2907A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.65Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.6 A配置：Single
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

PZT2907A 数据手册

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PZT2907A  
BIPOLAR TRANSISTOR (PNP)  
FEATURES  
Complementary to PZT2222A  
Epitaxial planar die construction  
Surface Mount device  
SOT-223  
MECHANICAL DATA  
Case: SOT-223  
Case Material: Molded Plastic. UL flammability  
Classification Rating: 94V-0  
Weight: 0.04 grams (approximate)  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
-60  
-60  
Collector-Emitter Voltage  
V
Emitter-Base Voltage  
-5  
V
Collector Current  
-0.6  
A
Collector Power Dissipation  
PC  
1
W
°C  
°C  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
TJ  
150  
TSTG  
-55 ~+150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Symbo  
Parameter  
Min Typ Max Unit  
Conditions  
IC=-10uA，IE=0  
IC=-10mA，IB=0  
I =-10uA I =0  
VCB=-50V, IE=0  
VEB=-5V, IC=0  
l
V(BR)CBO  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
-60  
-60  
-5  
V
V
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
V
，
E
C
-10  
-50  
nA  
nA  
Emitter cut-off current  
IEBO  
75  
100  
100  
100  
50  
VCE=-10V, IC=-0.1mA  
VCE=-10V, IC=-1mA  
VCE=-10V, IC=-10mA  
VCE=-10V, IC=-150mA  
VCE=-10V, IC=-500mA  
IC=-150mA，IB=-15mA  
IC=-500mA，IB=-50mA  
IC=-150mA，IB=-15mA  
DC current gain  
hFE  
300  
-0.4  
-1.6  
-1.3  
-2.6  
V
V
V
V
Collector-emitter saturation voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Base-emitter saturation voltage  
IC=-500mA,IB=-50mA,f=100  
MHz  
Transition frequency  
Collector capacitance  
Emitter capacitance  
Delay time  
Rise time  
Storage time  
fT  
CC  
CE  
td  
tr  
ts  
200  
MHz VCE= -20V, IC= -50mA  
VCB= -10V, IE=0, f=1  
8
30  
12  
30  
300  
65  
pF  
pF  
nS  
nS  
nS  
nS  
MHz  
VEB= -2V, IC=0, f=1  
MHz  
Ic=-150mA, IB1=-IB2=-15mA  
Fall time  
tf  
MARKING: ZT2907A  
1 / 4  
©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD  
E-mail:hkt@heketai.com  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PZT2907A,115 NXP

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 		PZT2907A - PNP switching transistor SC-73 4-Pin
PZT2907A/T3 NXP

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 		TRANSISTOR 0.6 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN, BIP General Purp
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 		TRANSISTOR 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-223, 4 PIN, BIP General Pur

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