PZT2907

更新时间： 2024-09-27 03:40:27

品牌	Logo	应用领域
德欧泰克 - DIOTEC		晶体开关晶体管 IOT
页数	文件大小	规格书
2页	105K
描述
Suface Mount Si-Epitaxial Planar Switching Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PZT2907 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.57	Is Samacsys：	N
Base Number Matches：	1

PZT2907 数据手册

PZT2907 / PZT2907A

Suface Mount Si-Epitaxial Planar Switching Transistors

Si-Epitaxie-Planar-Schalttransistoren für die Oberflächenmontage

PNP

Version 2006-05-09

Power dissipation

Verlustleistung

1.3 W

6.5^±0.2

3^±0.1

1.65

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-223

0.04 g

Type

Code

Weight approx.

Gewicht ca.

0.7

2.3

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

3.25

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

1 = B 2/4 = C 3 = E

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

PZT2907

PZT2907A

60 V

Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-volt. - Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

E open

B open

C open

- V_CEO

- V_CBO

- V_EBO

P_tot

40 V

60 V

5 V

1.3 W ¹)

Collector current – Kollektorstrom (dc)

- I_C

600 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

Collector-cutoff current – Kollektor-Reststrom

I_E= 0, - V_CB= 50 V

PZT2907

- I_CBO

–

20 nA

10 nA

PZT2907A - I_CBO

PZT2907 - I_CBO

PZT2907A - I_CBO

I_E= 0, - V_CB= 50 V, T_j= 150°C

–

20 µA

10 µA

Emitter-cutoff current – Emitter-Reststrom

I_C= 0, - V_EB= 3 V

- I_EBO

–

–-

10 nA

Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ²)

- I_C= 150 mA, - I_B= 15 mA

- I_C= 500 mA, - I_B= 50 mA

- V_CEsat

–

0.4 V

1.6 V

Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung ²)

- I_C= 150 mA, - I_B= 15 mA

- I_C= 500 mA, - I_B= 50 mA

PZT2907

PZT2907A - V_BEsat

- V_BEsat

–

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

中文翻译

下载PDF

与PZT2907相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PZT2907A	ONSEMI	获取价格	PNP SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
PZT2907A	WEITRON	获取价格	PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor
PZT2907A	DIOTEC	获取价格	Suface Mount Si-Epitaxial Planar Switching Transistors
PZT2907A	TYSEMI	获取价格	Power Collector dissipation: PC=1W
PZT2907A	NEXPERIA	获取价格	PNP switching transistorProduction
PZT2907A	UTC	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
PZT2907A	SECOS	获取价格	Silicon Planar Medium Power Transistor
PZT2907A	INFINEON	获取价格	PNP Silicon Switching Transistors
PZT2907A	NXP	获取价格	PNP switching transistor
PZT2907A	FAIRCHILD	获取价格	PNP General Purpose Amplifier

与PZT2907相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

19
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

14
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

17
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

26

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PZT2907

PZT2907 技术参数

PZT2907 数据手册

与PZT2907相关器件

与PZT2907相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PZT2907

PZT2907 技术参数

PZT2907 数据手册

与PZT2907相关器件

与PZT2907相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？