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PZT2907A

更新时间： 2024-01-12 07:21:41

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描述
PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor

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PZT2907A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
最大关闭时间（toff）：	100 ns	最大开启时间（吨）：	45 ns
VCEsat-Max：	0.4 V	Base Number Matches：	1

PZT2907A 数据手册

PZT2907A

PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor

P b

COLLECTOR

2, 4

SOT-223

Lead(Pb)-Free

1. BASE

BASE

2.COLLECTOR

3.EMITTER

4.COLLECTOR

EM ITTER

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(Ta=25 C)

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Symbol

Unit

Vdc

mAdc

Value

-60

CEO

-60

-5.0

-600

CBO

EBO

Collector Current (DC)

C(DC)

1.5

Total Device Disspation T =25 C

Junction Temperature

Storage,Temperature

150

-55 to +150

Tstg

Device Marking

PZT2907A=2907A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Min

Max

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage (I = -10 mAdc, I =0)

-60

Vdc

(BR)CEO

-60

Vdc

Collector-Base Breakdown Voltage (I =-10 µAdc, I =0)

(BR)CBO

-5.0

Emitter-Base Breakdown Voltage (I = -10 µAdc, I =0)

(BR)EBO

nAdc

BEX

-50

100

Base-Emitter Cutoff Current (V = 60 Vdc,V =-3.0Vdc)

Collector-Emitter Cutoff Current (V = -30 Vdc,V =-0.5 Vdc)

CEX

Emitter-Base Cutoff Current (V = 3.0Vdc, I =0)

EBO

NOTE: 1.Device mounted on an epoxy printed circuit board 1.575 inches 1.575 inches 0.059 inches; mounting pad for the

collector lead min. 0.93 inches.

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

1/4

Rev.A 26-Aug-05

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