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PYA28C64E-25LMB

更新时间： 2024-11-13 00:26:35

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PYRAMID		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
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10页	676K
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Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms)

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PYA28C64E-25LMB 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.24
最长访问时间：	250 ns	JESD-30 代码：	R-CQCC-N32
长度：	13.97 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	8KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883
座面最大高度：	1.905 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	11.43 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	1 ms

PYA28C64E-25LMB 数据手册

PYA28C64(X)

8K X 8 EEPROM

FEATURES

Access Times of 150, 200, 250 and 350ns

Single 5V±10% Power Supply

CMOS & TTL Compatible Inputs and Outputs

Endurance:

- 10,000 Write Cycles

- 100,000 Write Cycles (optional)

Fast Byte Write (200µs or 1 ms)

Data Retention: 10 Years

Low Power CMOS:

- 60 mA Active Current

- 150 µA Standby Current

Available in the following package:

– 28-Pin 600 mil Ceramic DIP

– 32-Pin Ceramic LCC (450x550 mils)

Fast Write Cycle Time

RDY/BUSY pin is not connected for the

PYA28C64X

PIN CONFIGURATIONS

DESCRIPTION

ThePYA28C64isa5Volt8Kx8EEPROM. ThePYA28C64

featuresDATA andRDY/BUSY(PYA28C64only)toindicate

early completion of a Write Cycle. Data Retention is 10

Years. The device is available in a 28-Pin 600 mil wide

Ceramic DIP and 32-Pin LCC.

DIP (C5-1)

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

LCC (L6)

NOTE: The RDY/BUSY pin is not connected for the PYA28C64X.

Revised June 2012

Document # EEPROM105 REV B

12 3 4 5 6 7...10

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