Datasheet > PYA28C64E-35CWMB

PYA28C64E-35CWMB

更新时间： 2024-11-13 00:26:35

品牌	Logo	应用领域
PYRAMID		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	676K
描述
Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PYA28C64E-35CWMB 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.3
最长访问时间：	350 ns	JESD-30 代码：	R-CDIP-T28
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	8KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883	座面最大高度：	5.8928 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	1 ms	Base Number Matches：	1

PYA28C64E-35CWMB 数据手册

PYA28C64(X)

8K X 8 EEPROM

FEATURES

Access Times of 150, 200, 250 and 350ns

Single 5V±10% Power Supply

CMOS & TTL Compatible Inputs and Outputs

Endurance:

- 10,000 Write Cycles

- 100,000 Write Cycles (optional)

Fast Byte Write (200µs or 1 ms)

Data Retention: 10 Years

Low Power CMOS:

- 60 mA Active Current

- 150 µA Standby Current

Available in the following package:

– 28-Pin 600 mil Ceramic DIP

– 32-Pin Ceramic LCC (450x550 mils)

Fast Write Cycle Time

RDY/BUSY pin is not connected for the

PYA28C64X

PIN CONFIGURATIONS

DESCRIPTION

ThePYA28C64isa5Volt8Kx8EEPROM. ThePYA28C64

featuresDATA andRDY/BUSY(PYA28C64only)toindicate

early completion of a Write Cycle. Data Retention is 10

Years. The device is available in a 28-Pin 600 mil wide

Ceramic DIP and 32-Pin LCC.

DIP (C5-1)

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

LCC (L6)

NOTE: The RDY/BUSY pin is not connected for the PYA28C64X.

Revised June 2012

Document # EEPROM105 REV B

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与PYA28C64E-35CWMB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PYA28C64E-35LM	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms)
PYA28C64E-35LMB	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms)
PYA28C64X-15CWM	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms)
PYA28C64X-15CWMB	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms)
PYA28C64X-15LM	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms)
PYA28C64X-15LMB	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms)
PYA28C64X-20CWM	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms)
PYA28C64X-20CWMB	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms)
PYA28C64X-20LM	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms)
PYA28C64X-20LMB	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms)

与PYA28C64E-35CWMB相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

8
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

9
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PYA28C64E-35CWMB

PYA28C64E-35CWMB 技术参数

PYA28C64E-35CWMB 数据手册

与PYA28C64E-35CWMB相关器件

与PYA28C64E-35CWMB相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PYA28C64E-35CWMB

PYA28C64E-35CWMB 技术参数

PYA28C64E-35CWMB 数据手册

与PYA28C64E-35CWMB相关器件

与PYA28C64E-35CWMB相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？