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PYA28C64XE-25CWMB

更新时间： 2024-09-25 00:26:39

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PYRAMID		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
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Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms)

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PYA28C64XE-25CWMB 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.25
最长访问时间：	250 ns	JESD-30 代码：	R-CDIP-T28
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	8KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883	座面最大高度：	5.8928 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	1 ms

PYA28C64XE-25CWMB 数据手册

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PYA28C64(X)

8K X 8 EEPROM

FEATURES

Access Times of 150, 200, 250 and 350ns

Single 5V±10% Power Supply

CMOS & TTL Compatible Inputs and Outputs

Endurance:

- 10,000 Write Cycles

- 100,000 Write Cycles (optional)

Fast Byte Write (200µs or 1 ms)

Data Retention: 10 Years

Low Power CMOS:

- 60 mA Active Current

- 150 µA Standby Current

Available in the following package:

– 28-Pin 600 mil Ceramic DIP

– 32-Pin Ceramic LCC (450x550 mils)

Fast Write Cycle Time

RDY/BUSY pin is not connected for the

PYA28C64X

PIN CONFIGURATIONS

DESCRIPTION

ThePYA28C64isa5Volt8Kx8EEPROM. ThePYA28C64

featuresDATA andRDY/BUSY(PYA28C64only)toindicate

early completion of a Write Cycle. Data Retention is 10

Years. The device is available in a 28-Pin 600 mil wide

Ceramic DIP and 32-Pin LCC.

DIP (C5-1)

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

LCC (L6)

NOTE: The RDY/BUSY pin is not connected for the PYA28C64X.

Revised June 2012

Document # EEPROM105 REV B

12 3 4 5 6 7...10

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