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PYA28C256E-25LMB

更新时间： 2024-09-24 00:41:31

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PYRAMID		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
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Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Software Data Protection

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PYA28C256E-25LMB 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
最长访问时间：	200 ns	JESD-30 代码：	R-CQCC-N32
长度：	13.97 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	32KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	5 V
座面最大高度：	1.905 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	11.43 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

PYA28C256E-25LMB 数据手册

PYA28C256

32K x 8 EEPROM

FEATURES

Access Times of 150, 200, 250 and 350ns

Single 5V±10% Power Supply

Software Data Protection

CMOS & TTL Compatible Inputs and Outputs

Endurance:

Simple Byte and Page Write

- 10,000 Write Cycles

- 100,000 Write Cycles (optional)

Low Power CMOS:

- 60 mA Active Current

- 300 µA Standby Current

Data Retention: 10 Years

Available in the following package:

– 28-Pin 600 mil Ceramic DIP

Fast Write Cycle Times

– 32-Pin Ceramic LCC (450x550 mils)

DESCRIPTIOꢀ

The PYA28C256 is a 5 Volt 32Kx8 EEPROM. The device

supports 64-byte page write operation. The PYA28C256

features DATA and Toggle Bit Polling as well as a system

software scheme used to indicate early completion of a

Write Cycle. The device also includes user-optional soft-

ware data protection. Data Retention is 10 Years. The

device is available in a 28-Pin 600 mil wide Ceramic DIP

and 32-Pin LCC.

FUꢀCTIOꢀAL BLOCꢁ DIAꢂRAM

PIꢀ COꢀFIꢂURATIOꢀ

DIP (C5-1)

LCC (L6)

Document # EEPROM104 REV 03

Revised July 2014

12 3 4 5 6 7...14

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