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| 生命周期： | Active | 包装说明： | DIP, |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.77 |
| 最长访问时间： | 250 ns | 其他特性： | 10 YEAR DATA RETENTION |
| 数据保留时间-最小值： | 10 | JESD-30 代码： | R-CDIP-T28 |
| 长度： | 37.846 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 8KX8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 编程电压： | 5 V |
| 座面最大高度： | 5.8928 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 15.24 mm | 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PYA28C64B-25CWMB | PYRAMID |
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EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP28, DIP-28 |
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| PYA28C64B-25L32M | PYRAMID |
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EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
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| PYA28C64B-25L32MB | PYRAMID |
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Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Software Data Protection |
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| PYA28C64E-15CWM | PYRAMID |
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Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms) |
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| PYA28C64E-15CWMB | PYRAMID |
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Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms) |
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| PYA28C64E-15LM | PYRAMID |
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Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms) |
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| PYA28C64E-15LMB | PYRAMID |
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Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms) |
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| PYA28C64E-20CWM | PYRAMID |
获取价格 |
Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms) |
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| PYA28C64E-20CWMB | PYRAMID |
获取价格 |
Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms) |
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| PYA28C64E-20LM | PYRAMID |
获取价格 |
Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms) |
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