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PYA28C64B-15L32MB

更新时间： 2024-09-23 19:23:11
品牌 Logo 应用领域
PYRAMID 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 673K
描述
EEPROM, 8KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32, LCC-32

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PYA28C64B-15L32MB 技术参数

生命周期：Active包装说明：QCCN,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.77
最长访问时间：150 ns其他特性：10 YEAR DATA RETENTION
数据保留时间-最小值：10JESD-30 代码：R-CQCC-N32
长度：13.97 mm内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：8KX8
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：QCCN
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL编程电压：5 V
座面最大高度：1.905 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
宽度：11.43 mm最长写入周期时间 (tWC)：10 ms
Base Number Matches：1

PYA28C64B-15L32MB 数据手册

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PYA28C64B  
8K x 8 EEPROM  
FEATURES  
Access Times of 150, 200, 250 and 350ns  
Single 5V±10% Power Supply  
Simple Byte and Page Write  
Software Data Protection  
CMOS & TTL Compatible Inputs and Outputs  
Endurance:  
- 100,000 Write Cycles  
Low Power CMOS:  
- 40 mA Active Current  
- 100 µA Standby Current  
Data Retention: 10 Years  
Available in the following packages:  
– 28-Pin 600 mil Ceramic DIP  
Fast Write Cycle Times  
– 32-Pin Ceramic LCC (450x550 mils)  
DESCRIPTIOꢀ  
The PYA28C64B is a 5 Volt 8Kx8 EEPROM. The device  
supports 64-byte page write operation. The PYA28C64B  
features DATA and Toggle Bit Polling to indicate early  
completion of a Write Cycle. The device also includes  
user-optional software data protection. Data Retention is  
10 Years. The device is available in a 28-Pin 600 mil wide  
Ceramic DIP and 32-Pin LCC.  
FUꢀCTIOꢀAL BLOCꢁ DIAꢂRAM  
PIꢀ COꢀFIꢂURATIOꢀ  
DIP (C5-1)  
LCC (L6)  
Document # EEPROM111 REV OR  
Created June 2013  
1234567...11

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