Datasheet > PYA28C256E-25CWMB

PYA28C256E-25CWMB

更新时间： 2024-11-13 00:41:31

品牌	Logo	应用领域
PYRAMID		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	796K
描述
Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Software Data Protection

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PYA28C256E-25CWMB 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
最长访问时间：	200 ns	其他特性：	LG-MAX
JESD-30 代码：	R-CDIP-T28	长度：	37.846 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	5 V	座面最大高度：	5.8928 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

PYA28C256E-25CWMB 数据手册

浏览型号PYA28C256E-25CWMB的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号PYA28C256E-25CWMB的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号PYA28C256E-25CWMB的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号PYA28C256E-25CWMB的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号PYA28C256E-25CWMB的Datasheet PDF文件第6页

PYA28C256

32K x 8 EEPROM

FEATURES

Access Times of 150, 200, 250 and 350ns

Single 5V±10% Power Supply

Software Data Protection

CMOS & TTL Compatible Inputs and Outputs

Endurance:

Simple Byte and Page Write

- 10,000 Write Cycles

- 100,000 Write Cycles (optional)

Low Power CMOS:

- 60 mA Active Current

- 300 µA Standby Current

Data Retention: 10 Years

Available in the following package:

– 28-Pin 600 mil Ceramic DIP

Fast Write Cycle Times

– 32-Pin Ceramic LCC (450x550 mils)

DESCRIPTIOꢀ

The PYA28C256 is a 5 Volt 32Kx8 EEPROM. The device

supports 64-byte page write operation. The PYA28C256

features DATA and Toggle Bit Polling as well as a system

software scheme used to indicate early completion of a

Write Cycle. The device also includes user-optional soft-

ware data protection. Data Retention is 10 Years. The

device is available in a 28-Pin 600 mil wide Ceramic DIP

and 32-Pin LCC.

FUꢀCTIOꢀAL BLOCꢁ DIAꢂRAM

PIꢀ COꢀFIꢂURATIOꢀ

DIP (C5-1)

LCC (L6)

Document # EEPROM104 REV 03

Revised July 2014

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

与PYA28C256E-25CWMB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PYA28C256E25LM	PYRAMID	获取价格	EEPROM 5V, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, CHIP-32
PYA28C256E-25LM	PYRAMID	获取价格	EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32
PYA28C256E25LMB	PYRAMID	获取价格	EEPROM 5V, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, CHIP-32
PYA28C256E-25LMB	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Software Data Protection
PYA28C64	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms)
PYA28C64-15CWM	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms)
PYA28C64-15CWMB	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms)
PYA28C64-15LM	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms)
PYA28C64-15LMB	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms)
PYA28C64-20CWM	PYRAMID	获取价格	Access Times of 150, 200, 250 and 350ns Fast Byte Write (200us or 1 ms)

与PYA28C256E-25CWMB相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

8
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

8
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PYA28C256E-25CWMB

PYA28C256E-25CWMB 技术参数

PYA28C256E-25CWMB 数据手册

与PYA28C256E-25CWMB相关器件

与PYA28C256E-25CWMB相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PYA28C256E-25CWMB

PYA28C256E-25CWMB 技术参数

PYA28C256E-25CWMB 数据手册

与PYA28C256E-25CWMB相关器件

与PYA28C256E-25CWMB相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？