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PUMH19

更新时间: 2024-11-02 03:40:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 63K
描述
NPN/PNP resistor-equipped transistors

PUMH19 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SC-88
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数:6
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.17Is Samacsys:N
其他特性:BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:6
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.2 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

PUMH19 数据手册

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PEMD19; PUMD19  
NPN/PNP resistor-equipped transistors;  
R1 = 22 k, R2 = open  
Rev. 01 — 17 February 2005  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
NPN/PNP resistor-equipped transistors.  
Table 1:  
Product overview  
Type number  
Package  
Philips  
PNP/PNP  
complement  
NPN/NPN  
complement  
JEITA  
-
PEMD19  
PUMD19  
SOT666  
SOT363  
PEMB19  
PUMB19  
PEMH19  
PUMH19  
SC-88  
1.2 Features  
Built-in bias resistors  
Simplifies circuit design  
Reduces component count  
Reduces pick and place cost  
1.3 Applications  
Low current peripheral driver  
Control of IC inputs  
Replacement of general-purpose transistors in digital applications  
1.4 Quick reference data  
Table 2:  
Symbol  
VCEO  
IO  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
50  
Unit  
V
collector-emitter voltage  
output current (DC)  
bias resistor 1 (input)  
open base  
-
-
-
-
100  
28.6  
mA  
k  
R1  
15.4  
22  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PUMH19,115 NXP

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PEMH19; PUMH19 - NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 kOhm, R2 = open TSSOP 6-P
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