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PUMH7,115 PDF预览

PUMH7,115

更新时间: 2024-02-23 22:24:47
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恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 64K
描述
PEMH7; PUMH7 - NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kOhm, R2 = open TSSOP 6-Pin

PUMH7,115 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TSSOP
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数:6
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.23
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):200JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:6
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

PUMH7,115 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PEMH7; PUMH7  
NPN/NPN resistor-equipped  
transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = open  
Product data sheet  
2003 Oct 02  
Supersedes data of 2001 Oct 22  

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