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PUML1DG

更新时间： 2024-01-08 02:07:33

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	89K
描述
50 V, 200 mA NPN general-purpose transistor/100 mA NPN resistor-equipped transistor

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PUML1DG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-88	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.78
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PUML1DG 数据手册

PUML1/DG

50 V, 200 mA NPN general-purpose transistor/

100 mA NPN resistor-equipped transistor

Rev. 01 — 14 July 2008

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

NPN general-purpose transistor and NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in one

SOT363 (SC-88) very small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

1.2 Features

I General-purpose transistor:

N 200 mA collector current I_C

I Resistor-equipped transistor:

N Built-in bias resistors

I Simpliﬁes circuit design

I Reduces component count

I Reduces pick and place costs

I Very small SMD plastic package

I AEC-Q101 qualiﬁed

1.3 Applications

I Inverter and switches

I Low-frequency ampliﬁer

I Driver stages

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

TR1 (general-purpose transistor)

V_CEO

I_C

collector-emitter voltage

collector current

open base

200

340

h_FE

DC current gain

V_CE= 10 V;

I_C= 2 mA

210

TR2 (resistor-equipped transistor)

V_CEO

I_O

collector-emitter voltage

output current

open base

100

kΩ

bias resistor 1 (input)

bias resistor ratio

R2/R1

0.8

1.2

12 3 4 5 6 7...12

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