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PUMT1

更新时间: 2024-01-13 13:21:05
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 47K
描述
PNP general purpose double transistor

PUMT1 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.59Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A最小直流电流增益 (hFE):120
JESD-609代码:e3最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:PNP子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

PUMT1 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
handbook, halfpage  
M
PUMT1  
PNP general purpose  
double transistor  
1999 Apr 14  
Preliminary specification  
Supersedes data of 1997 Jul 09  

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