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PUMZ1,115 PDF预览

PUMZ1,115

更新时间: 2024-01-06 21:59:33
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 56K
描述
PUMZ1 - NPN/PNP general purpose transistors TSSOP 6-Pin

PUMZ1,115 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TSSOP包装说明:PLASTIC, SC-88, 6 PIN
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:3.12最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:1.5 pF集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE):120
JESD-30 代码:R-PDSO-G6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:6最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN AND PNP功耗环境最大值:0.3 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.2 V
Base Number Matches:1

PUMZ1,115 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
PUMZ1  
NPN/PNP general purpose  
transistors  
Product data sheet  
2004 Oct 15  
Supersedes data of 2002 May 6  

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