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PUMZ2,115 PDF预览

PUMZ2,115

更新时间: 2024-11-19 14:38:27
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
9页 87K
描述
PIMZ2; PUMZ2 - NPN/PNP general-purpose double transistors TSSOP 6-Pin

PUMZ2,115 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TSSOP包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.37
最大集电极电流 (IC):0.15 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE):120
JESD-30 代码:R-PDSO-G6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:6最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN AND PNP最大功率耗散 (Abs):0.3 W
认证状态:Not Qualified子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

PUMZ2,115 数据手册

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PIMZ2; PUMZ2  
NPN/PNP general-purpose double transistors  
Rev. 06 — 17 November 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
NPN/PNP general-purpose double transistors.  
Table 1. Product overview  
Type number  
Package  
NXP  
Configuration  
JEITA  
SC-74  
SC-88  
PIMZ2  
SOT457  
SOT363  
NPN/PNP double transistors  
NPN/PNP double transistors  
PUMZ2  
1.2 Features  
„ Simplified circuit design  
„ Reduced component count  
„ Reduced pick and place costs  
1.3 Applications  
„ General-purpose switching and amplification  
1.4 Quick reference data  
Table 2.  
Symbol  
VCEO  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
50  
Unit  
V
collector-emitter voltage  
collector current (DC)  
open base  
-
-
-
-
IC  
150  
mA  
 
 
 
 
 

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