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PUMZ1

更新时间: 2024-02-01 06:52:40
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 47K
描述
NPN/PNP general purpose transistors

PUMZ1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SC-88
包装说明:PLASTIC, SC-88, 6 PIN针数:6
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.3
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:1.5 pF
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):120JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:6
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN AND PNP
功耗环境最大值:0.3 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:0.2 V

PUMZ1 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
handbook, halfpage  
PUMZ1  
NPN/PNP general purpose  
transistors  
1999 Apr 14  
Preliminary specification  
Supersedes data of 1997 Jul 09  

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