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PUMH4

更新时间: 2024-02-20 15:22:45
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
8页 51K
描述
NPN resistor-equipped double transistor

PUMH4 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.73其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):200
JESD-30 代码:R-PDSO-G6元件数量:2
端子数量:6封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

PUMH4 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
ndbook, halfpage  
PUMH4  
NPN resistor-equipped double  
transistor  
Product specification  
1999 May 20  
Supersedes data of 1998 Aug 10  

PUMH4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PUMH4,115 NXP

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PUMH7,115 NXP

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PEMH7; PUMH7 - NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kOhm, R2 = open TSSOP 6-Pin
PUMH7H-Q NEXPERIA

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PUMH7T/R NXP

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