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PUMH1

更新时间: 2024-02-07 02:02:25
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 57K
描述
NPN resistor-equipped double transistor

PUMH1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:PLASTIC, SC-88, 6 PINReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.15其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):60
JESD-30 代码:R-PDSO-G6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:6封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

PUMH1 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
ndbook, halfpage  
PUMH1  
NPN resistor-equipped double  
transistor  
Product specification  
1999 May 20  
Supersedes data of 1998 Aug 06  

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