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PTZTE2513B

更新时间: 2024-11-14 12:56:39
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罗姆 - ROHM 稳压二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 154K
描述
Zener diode

PTZTE2513B 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Not Recommended包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:7.98
Is Samacsys:N其他特性:HIGH SURGE WITHSTAND LEVEL
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:10 Ω
JESD-30 代码:R-PDSO-C2湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:13 V最大反向电流:10 µA
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:C BEND
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
最大电压容差:6.01%工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1

PTZTE2513B 数据手册

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PTZ30B  
Diodes  
Zener diode  
PTZ30B  
zApplications  
zDimensions (Unit : mm)  
zLand size figure (Unit : mm)  
Voltage regulation  
㪉㪅㪇  
㪉㪅㪍㫧㪇㪅㪉  
zFeatures  
1) Small power mold type. (PMDS)  
2) High ESD tolerance  
㪇㪅㪈㫧㪇㪅㪇㪉  
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㪈㪅㪌㫧㪇㪅㪉  
zConstruction  
Silicon epitaxial planar  
zStructure  
㪩㪦㪟㪤㩷㪑㩷㪧㪤㪛㪪  
㪡㪜㪛㪜㪚㩷㪑㩷㪪㪦㪛㪄㪈㪇㪍  
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㪤㪸㫅㫌㪽㪸㪺㫋㫌㫉㪼㩷㪛㪸㫋㪼  
zTaping dimensions (Unit : mm)  
㪉㪅㪇㫧㪇㪅㪇㪌  
㪋㪅㪇㫧㪇㪅㪈  
㪇㪅㪊  
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㪉㪅㪐㫧㪇㪅㪈  
㪋㪅㪇㫧㪇㪅㪈  
㪉㪅㪏㪤㪘㪯  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)  
Parameter  
Power dissipation  
Limits  
1000  
Symbol  
Unit  
mW  
P
Tj  
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
-55 to +150  
Tstg  
Rev.E  
1/4  

PTZTE2513B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1SMA5928BT3G ONSEMI

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Zener Diode
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暂无描述