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PTZTE255.6B

更新时间: 2024-11-15 12:52:27
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罗姆 - ROHM 二极管齐纳二极管测试光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
5页 154K
描述
Voltage regulation

PTZTE255.6B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:7.94
Samacsys Confidence:2Samacsys Status:Released
Samacsys PartID:471852Samacsys Pin Count:2
Samacsys Part Category:Zener DiodeSamacsys Package Category:Diodes Moulded
Samacsys Footprint Name:PMDSSamacsys Released Date:2018-09-04 10:43:05
Is Samacsys:N其他特性:HIGH SURGE WITHSTAND LEVEL
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:8 Ω
JESD-30 代码:R-PDSO-C2JESD-609代码:e1
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:5.6 V
最大反向电流:20 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:C BEND
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
最大电压容差:5.88%工作测试电流:40 mA
Base Number Matches:1

PTZTE255.6B 数据手册

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PTZ5.6B  
Diodes  
Zener diode  
PTZ5.6B  
zApplications  
zDimensions (Unit : mm)  
zLand size figure (Unit : mm)  
Voltage regulation  
㪉㪅㪇  
㪉㪅㪍㫧㪇㪅㪉  
zFeatures  
1) Small power mold type. (PMDS)  
2) High ESD tolerance  
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㪈㪅㪌㫧㪇㪅㪉  
zConstruction  
Silicon epitaxial planar  
zStructure  
㪩㪦㪟㪤㩷㪑㩷㪧㪤㪛㪪  
㪡㪜㪛㪜㪚㩷㪑㩷㪪㪦㪛㪄㪈㪇㪍  
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㪤㪸㫅㫌㪽㪸㪺㫋㫌㫉㪼㩷㪛㪸㫋㪼  
zTaping dimensions (Unit : mm)  
㪉㪅㪇㫧㪇㪅㪇㪌  
㪋㪅㪇㫧㪇㪅㪈  
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㪉㪅㪐㫧㪇㪅㪈  
㪋㪅㪇㫧㪇㪅㪈  
㪉㪅㪏㪤㪘㪯  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)  
Parameter  
Power dissipation  
Limits  
1000  
Symbol  
Unit  
mW  
P
Tj  
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
-55 to +150  
Tstg  
Rev.E  
1/4  

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