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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-C2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.72 |
| 其他特性： | HIGH SURGE WITHSTAND LEVEL | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 6.2 V | 最大反向电流： | 20 µA |
| 表面贴装： | YES | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 最大电压容差： | 6.45% | 工作测试电流： | 40 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| PTZTE256.2B | ROHM | Zener Diode, 6.6V V(Z), 6.06%, 1W, Silicon, Unidirectional, |
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|
| PTZTE256.8A | ROHM | Zener Diode, 6.8V V(Z), 5.88%, 1W, Silicon, Unidirectional, |
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|
| PTZTE256.8B | ROHM | Zener diode |
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|
| PTZTE2582B | ROHM | Zener diode |
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| PTZTE259.1A | ROHM | Zener Diode, 9.05V V(Z), 6.08%, 1W, Silicon, Unidirectional, |
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|
| PTZTE259.1B | ROHM | Zener Diode, 9.65V V(Z), 5.7%, 1W, Silicon, Unidirectional, |
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