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PTZTE253.6B

更新时间： 2024-02-01 16:48:54

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罗姆 - ROHM		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	2310K
描述
Zener Diode, 3.8V V(Z), 5.26%, 1W, Silicon, Unidirectional,

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技术参数
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PTZTE253.6B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	7.98
其他特性：	HIGH SURGE WITHSTAND LEVEL	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	15 Ω	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e1	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	3.6 V	最大反向电流：	60 µA
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	最大电压容差：	5.26%
工作测试电流：	40 mA	Base Number Matches：	1

PTZTE253.6B 数据手册

PTZ3.6B

Zener Diode

Data sheet

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●Outline

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1000

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●Feature

●Inner Circuit

High reliability

Small power mold type

●Application

●Packaging Specification

Packing

Embossed Tape

Voltage regulation

Reel Size(mm)

180

1500

TE25

3.6B

Taping Width(mm)

Basic Ordering Unit(pcs)

TapingCode

●Structure

Silicon Epitaxial Planar

Marking

(T = 25℃)

●Absolute Maximum Rating

Parameter

Symbol

Limits

1000

150

Unit

℃

Power dissipation

stg

Junctiontemperature

Storagetemperature

-55 ～ 150ꢀ

℃

www.rohm.com

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2017/01/11_Rev.003

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