5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | R-PDSO-C2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.76 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 |
| JESD-609代码： | e1 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向电流： | 80 µA | 表面贴装： | YES |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 工作测试电流： | 40 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PTZTE253.6B | ROHM |
获取价格 |
Zener Diode, 3.8V V(Z), 5.26%, 1W, Silicon, Unidirectional, |
|
| PTZTE253.9A | ROHM |
获取价格 |
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5.13%, 1W, Silicon, Unidirectional, |
|
| PTZTE2530A | ROHM |
获取价格 |
Zener diode |
|
| PTZTE2530B | ROHM |
获取价格 |
Small power mold type. (PMDS) |
|
| PTZTE2533A | ROHM |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| PTZTE2533B | ROHM |
获取价格 |
Zener diode |
|
| PTZTE254.7B | ROHM |
获取价格 |
Zener Diode, 4.95V V(Z), 5.05%, 1W, Silicon, Unidirectional, |
|
| PTZTE255.1A | ROHM |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| PTZTE255.1B | ROHM |
获取价格 |
Voltage regulation |
|
| PTZTE255.6B | ROHM |
获取价格 |
Voltage regulation |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
