5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> PTF180101
PTF180101 PDF预览

PTF180101

更新时间： 2024-01-19 00:20:37
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
页数 文件大小 规格书
10页 308K
描述
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz

阅读下载

中文翻译

获取价格

PTF180101 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：GREEN, H-32259-2, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：S BANDJESD-30 代码：S-XDSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：58 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PTF180101 数据手册

 浏览型号PTF180101的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PTF180101的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PTF180101的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PTF180101的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PTF180101的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PTF180101的Datasheet PDF文件第7页 
PTF180101  
LDMOS RF Power Field Effect Transistor  
10 W, 1805–1880 MHz, 1930–1990 MHz  
10 W, 2110–2170 MHz  
Description  
Features  
The PTF180101 is a 10 W, internally–matched GOLDMOS FET device in-  
tended for EDGE applications in the DCS/PCS band. Full gold metallization  
ensures excellent device lifetime and reliability.  
•
Typical EDGE performance  
- Average output power = 4.0 W  
- Gain = 19.0 dB  
- Efficiency = 28%  
- EVM = 1.1 %  
Typical WCDMA performance  
- Average output power = 1.8 W  
- Gain = 18.0 dB  
EDGE EVM Performance  
EVM and Efficiency vs. Output Power  
VDD = 28 V, IDQ = 0.18 A, f = 1989.8 MHz  
•
4
3
2
1
0
40  
30  
20  
10  
0
- Efficiency = 20%  
- ACPR = –45 dBc  
Typical CW performance  
- Output power at P–1dB = 15 W  
- Efficiency = 50%  
Integrated ESD protection:  
Human Body Model Class 1 (minimum)  
Excellent thermal stability  
Low HCI drift  
Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,  
10 W (CW) output power  
Efficiency  
•
•
•
•
•
EVM  
25  
30  
35  
40  
PTF180101S  
Package 32259  
Output Power (dBm)  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device — observe handling precautions!  
RF Characteristics, EDGE Operation at T  
= 25°C unless otherwise indicated  
CASE  
EDGE Measurements (not subject to production test—verified by design/characterization in Infineon test fixture)  
= 28 V, I = 180 mA, P = 4 W, f = 1989.8 MHz  
V
DD  
DQ  
OUT  
Characteristic  
Error Vector Magnitude  
Symbol  
EVM (RMS)  
ACPR  
Min  
—
Typ  
1.1  
–60  
–70  
19  
Max  
—
Units  
%
Modulation Spectrum @ 400 kHz  
Modulation Spectrum @ 600 kHz  
Gain  
—
—
dBc  
dBc  
dB  
ACPR  
—
—
G
ps  
—
—
Drain Efficiency  
ηD  
—
28  
—
%
Two–Tone Measurements (tested in Infineon test fixture)  
V
DD  
= 28 V, I  
= 180 mA, P = 10 W PEP, f = 1990 MHz, tone spacing = 1 MHz  
DQ  
OUT  
Characteristic  
Gain  
Symbol  
Min  
18  
Typ  
19  
Max  
—
Units  
dB  
G
ps  
Drain Efficiency  
ηD  
30  
33  
—
%
Intermodulation Distortion  
IMD  
—
–30  
–28  
dBc  
Data Sheet  
1
2004-02-03  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

与PTF180101相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PTF180101M INFINEON

获取价格

 		High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10W,1.0-2.0 GHz
PTF180101S INFINEON

获取价格

 		LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170
PTF180101SV1 INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTF180301E INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTF180301F INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTF180601 INFINEON

获取价格

 		LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz
PTF180601C INFINEON

获取价格

 		LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz
PTF180601E INFINEON

获取价格

 		LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz
PTF180901A INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTF180901E INFINEON

获取价格

 		GSM/EDGE RF Power FET

与PTF180101相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证