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PTF180101SV1

更新时间： 2024-02-07 23:48:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	194K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, H-32259-2, 2 PIN

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PTF180101SV1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-XDSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	S-XDSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PTF180101SV1 数据手册

PTF180101S

LDMOS RF Power Field Effect Transistor

10 W, 1805 – 1880 MHz, 1930 – 1990 MHz

10 W, 2110 – 2170 MHz

Description

The PTF180101S is a 10-watt, internally-matched GOLDMOS FET device

PTF180101S

intended for EDGE applications in the DCS/PCS band. Full gold metalliza-

tion ensures excellent device lifetime and reliability.

Package H-32259-2

Features

EDGE EVM Performance

EVM and Efficiency vs. Output Power

V_DD= 28 V, I_DQ= 0.18 A, f = 1989.8 MHz

•

RoHS-compliant, Pb-free package

Typical EDGE performance

- Average output power = 4.0 W

- Gain = 19.0 dB

- Efficiency = 28%

- EVM = 1.1 %

Typical WCDMA performance

- Average output power = 1.8 W

- Gain = 18.0 dB

- Efficiency = 20%

- ACPR = –45 dBc

Typical CW performance

- Output power at P–1dB = 15 W

- Efficiency = 50%

Integrated ESD protection: Human Body

Model Class 1 (minimum)

Low HCI drift, excellent thermal stability

Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 10

W (CW) output power

Efficiency

•

EVM

Output Power (dBm)

•

RF Characteristics, EDGE Operation

EDGE Measurements (not subject to production test—verified by design/characterization in Infineon test fixture)

= 28 V, I = 180 mA, P = 4 W, f = 1989.8 MHz

OUT

Characteristic

Error Vector Magnitude

Symbol

EVM (RMS)

ACPR

Min

—

Typ

1.1

–60

–70

Max

—

Unit

Modulation Spectrum @ 400 kHz

Modulation Spectrum @ 600 kHz

Gain

—

dBc

ACPR

—

Drain Efficiency

h_D

—

table continued on next page

All published data at T

= 25°C unless otherwise indicated

*See Infineon distributor for future availability.

CASE

ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!

Data Sheet 1 of 10

Rev. P03, 2007-03-01

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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PTF180301F	INFINEON	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTF180601	INFINEON	获取价格	LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz
PTF180601C	INFINEON	获取价格	LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz
PTF180601E	INFINEON	获取价格	LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz
PTF180901A	INFINEON	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
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PTF181301	INFINEON	获取价格	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 1805-1880 MHz
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