PTF180901E

更新时间： 2024-02-24 23:26:59

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英飞凌 - INFINEON		射频 GSM
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2页	169K
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GSM/EDGE RF Power FET

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PTF180901E 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFP-F2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	350 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PTF180901E 数据手册

P r o d u c t B r i e f

P T F 1 8 0 9 0 1

G S M / E D G E R F P o w e r F E T

T h e P T F 1 8 0 9 0 1

P e r f o r m a n c e

One of our new line of GSM/EDGE/CDMA2000 devices, the PTF180901

is optimized for the DCS and PCS bands. This device operates at 47%

efficiency with 13.5 dB of gain and produces 115 W, P_-1dB. This high-gain

high-efficiency device is ideal to power your amplifier design.

A laterally diffused single-ended GOLDMOS^®FET, it incorporates full

gold metallization and integrated ESD protection to ensure excellent

lifetime and reliability.

■ Typical EDGE performance

– Average output power = 35 W

– Gain = 14.5 dB

– Efficiency = 32%

– EVM = 1.7% AVG

– ACPR @ 400 KHz = -60 dBc

– ACPR @ 600 KHz = -74 dBc

■ Typical two-tone performance

– Output power = 90 W PEP

– Gain = 15 dB

F e a t u r e s

■ Optimized for bandwidths 1805 MHz – 1880 MHz and

– Efficiency = 36%

1930 MHz – 1990 MHz

– IM3 = -30 dBc

■ Improved ruggedness

– 1 MHz tone spacing

■ Broadband internal matching

■ Full gold metallization

■ Integrated ESD protection: Human Body Model, Class 1 (minimum)

■ Excellent thermal stability

■ Low HCI drift

■ Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 90 W (CW) output power

Ty p e L i s t

Type

Output Power

90 W

Gain

Supply Voltage Package Type

Package

PTF180901E

PTF180901F

15 dB

28 V

Thermally enhanced 30248

Thermally enhanced, 31248

earless

90 W

w w w . i n f i n e o n . c o m / w i r e l e s s

W i r e l e s s Co m m u n i c a t i o n

N e v e r s t o p t h i n k i n g .

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PTF180901F	INFINEON	获取价格	GSM/EDGE RF Power FET
PTF181301	INFINEON	获取价格	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 1805-1880 MHz
PTF181301A	INFINEON	获取价格	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 1805-1880 MHz
PTF181301E	INFINEON	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTF181301F	INFINEON	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTF191601	INFINEON	获取价格	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 160 W, 1930-1990 MHz
PTF191601E	INFINEON	获取价格	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 160 W, 1930-1990 MHz
PTF191601F	INFINEON	获取价格	Thermally-Enhnaced High Power RF LDMOS FETs 160 W, 1930-1990 MHz
PTF1H-1000-AB	RCD	获取价格	RTD Platinum Sensor, 100ohm, Rectangular, Through Hole Mount, RADIAL LEADED
PTF1H-1000-ABQ	RCD	获取价格	RTD Platinum Sensor, 100ohm, Flat Pack, Through Hole Mount, RADIAL LEADED

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