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PTF180901A

更新时间： 2024-01-19 00:03:18

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	183K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 20248, 2 PIN

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PTF180901A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	270 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PTF180901A 数据手册

Preliminary PTF180901A

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor

90 W, 1805 – 1880 MHz, 1930 – 1990 MHz

Description

The PTF180901A is a 90-watt, internally-matched GOLDMOS FET intended

for EDGE applications in the DCS/PCS bands. Full gold metallization en-

sures excellent device lifetime and reliability.

PTF180901A*

Package 20248

Features

Typical EDGE Performance

EVM & Efficiency vs. Output Power

V_DD= 28 V, I_DQ= 1.2 A, f = 1989.1MHz

•

Broadband internal matching

Typical two-tone performance

- Average output power = 45 W

- Gain = 14.5 dB

- Efficiency = 36%

•

Typical CW performance

- Output power at P–1dB = 115 W

- Gain = 13.5 dB

Efficiency

- Efficiency = 47%

Integrated ESD protection: Human Body

Model, Class 1 (minimum)

EVM

•

Excellent thermal stability

Low HCI drift

Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,

90 W (CW) output power

Output Power (dBm)

ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!

RF Characteristics at T

= 25°C unless otherwise indicated

CASE

EDGE Measurements (not subject to production test—verified by design/characterization in Infineon test fixture)

= 28 V, I = 1.2 A, P = 35 W, f = 1989.8 MHz

OUT

Characteristic

Error Vector Magnitude

Symbol

RMS EVM

ACPR

Min

—

Typ

1.7

Max

—

Units

Modulation Spectrum @ 400 KHz

Modulation Spectrum @ 600 KHz

Gain

—

–60

–74

14.5

—

dBc

ACPR

—

Drain Efficiency

η_D

—

*See Infineon distributor for future availability.

Preliminary Data Sheet

1 of 10

2004-06-03

12 3 4 5 6 7...10

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PTF180901F	INFINEON	获取价格	GSM/EDGE RF Power FET
PTF181301	INFINEON	获取价格	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 1805-1880 MHz
PTF181301A	INFINEON	获取价格	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 1805-1880 MHz
PTF181301E	INFINEON	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTF181301F	INFINEON	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTF191601	INFINEON	获取价格	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 160 W, 1930-1990 MHz
PTF191601E	INFINEON	获取价格	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 160 W, 1930-1990 MHz
PTF191601F	INFINEON	获取价格	Thermally-Enhnaced High Power RF LDMOS FETs 160 W, 1930-1990 MHz
PTF1H-1000-AB	RCD	获取价格	RTD Platinum Sensor, 100ohm, Rectangular, Through Hole Mount, RADIAL LEADED

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