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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> PTF180101M
PTF180101M PDF预览

PTF180101M

更新时间： 2024-01-15 02:21:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管场效应晶体管射频
页数 文件大小 规格书
8页 172K
描述
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10W,1.0-2.0 GHz

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PTF180101M 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：GREEN, H-32259-2, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：S BANDJESD-30 代码：S-XDSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：58 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PTF180101M 数据手册

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PTF180101M  
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor  
10 W, 1.0 – 2.0 GHz  
Description  
®
The PTF180101M is an unmatched 10-watt GOLDMOS FET intended for  
class AB base station applications in the 1 to 2 GHz band. This LDMOS  
device offers excellent gain, efficiency and linearity performance in a small  
footprint.  
PTF180101M  
Package PG-RFP-10  
Features  
EDGE Performance  
VDD = 28v, IDQ = 180 mA, ƒ = 1960 MHz  
•
Typical EDGE performance  
- Average output power = 4.0 W  
- Gain = 17 dB  
- Efficiency = 31%  
- EVM = 1.3 %  
1.50  
1.25  
1.00  
0.75  
0.50  
40  
30  
20  
10  
0
•
•
Typical CW performance  
- Output Power at P–1dB = 10 W  
- Gain = 16 dB  
- Efficiency = 50%  
Integrated ESD protection:  
Human Body Model Class 1 (minimum)  
Efficiency  
EVM  
•
•
•
Excellent thermal stability  
Low HCI drift  
Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,  
10 W (CW) output power  
29 30 31 32 33 34 35 36 37  
•
Pb-free and RoHS compliant  
Output Power (dBm)  
RF Characteristics  
Two-Tone Measurements (not subject to production test—verified by design/characterization in Infineon test fixture)  
V
DD  
= 28 V, I  
= 180 mA, P  
= 10 W PEP, ƒ = 1990 MHz, tone spacing = 1 MHz  
DQ  
OUT  
Characteristic  
Gain  
Symbol  
Min  
16.5  
35  
Typ  
—
Max  
—
Unit  
dB  
G
ps  
Drain Efficiency  
hD  
IMD  
—
—
%
Intermodulation Distortion  
—
—
–28  
dBc  
All published data at T  
= 25°C unless otherwise indicated  
*See Infineon distributor for future availability.  
CASE  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!  
Data Sheet 1 of 8  
Rev. 05, 2005-12-06  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PTF180101S INFINEON

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 		LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170
PTF180101SV1 INFINEON

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