PSMN002-25P

更新时间： 2024-02-14 09:37:37

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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13页	270K
描述
N-channel enhancement mode field-effect transistor

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PSMN002-25P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	230 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

PSMN002-25P 数据手册

PSMN002-25P; PSMN002-25B

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor

Rev. 01 — 22 October 2001

Product data

1. Description

N-channel logic level ﬁeld-effect power transistor in a plastic package using

TrenchMOS™¹technology.

Product availability:

PSMN002-25P in SOT78 (TO-220AB)

PSMN002-25B in SOT404 (D²-PAK)

2. Features

■ Low on-state resistance

■ Fast switching.

3. Applications

■ High frequency computer motherboard DC to DC converters

■ OR-ing applications.

4. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT78 and SOT404, simpliﬁed outline and symbol

Description

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

[1]

drain (d)

source (s)

drain (d)

MBB076

MBK116

MBK106

2 3

SOT404 (D^2-PAK)

SOT78 (TO-220AB)

[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.

1. TrenchMOS is a trademark of Koninklijke Philips Electronics N.V.

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