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PSMN002-25P,127

更新时间： 2024-02-29 03:30:21

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	288K
描述
PSMN002-25P

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PSMN002-25P,127 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.0029 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PSMN002-25P,127 数据手册

PSMN002-25P; PSMN002-25B

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor

Rev. 01 — 22 October 2001

Product data

1. Description

N-channel logic level ﬁeld-effect power transistor in a plastic package using

TrenchMOS™¹technology.

Product availability:

PSMN002-25P in SOT78 (TO-220AB)

PSMN002-25B in SOT404 (D²-PAK)

2. Features

■ Low on-state resistance

■ Fast switching.

3. Applications

■ High frequency computer motherboard DC to DC converters

■ OR-ing applications.

4. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT78 and SOT404, simpliﬁed outline and symbol

Description

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

[1]

drain (d)

source (s)

drain (d)

MBB076

MBK116

MBK106

2 3

SOT404 (D^2-PAK)

SOT78 (TO-220AB)

[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.

1. TrenchMOS is a trademark of Koninklijke Philips Electronics N.V.

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