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PN100-J61Z

更新时间: 2024-09-18 19:49:19
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 107K
描述
500mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

PN100-J61Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.74
最大集电极电流 (IC):0.5 A基于收集器的最大容量:4.5 pF
集电极-发射极最大电压:45 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
VCEsat-Max:0.2 VBase Number Matches:1

PN100-J61Z 数据手册

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