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PN100RM PDF预览

PN100RM

更新时间： 2024-09-18 20:42:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 68K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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PN100RM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.49
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

PN100RM 数据手册

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PN100/PN100A/MMBT100/MMBT100A  
NPN General Purpose Amplifier  
3
•
This device is designed for general purpose amplifier  
applications at collector currents to 300mA.  
Sourced from process 10.  
•
2
SOT-23  
Mark: N1/N1A  
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
1
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
45  
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector current  
CEO  
75  
V
CBO  
EBO  
6.0  
V
I
- Continuous  
500  
mA  
°C  
C
T , T  
Junction and Storage Temperature  
-55 ~ +150  
J
stg  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
BV  
BV  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage *  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Emitter Cutoff Current  
I
I
I
= 10µA, I = 0  
75  
45  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
C
B
= 1mA, I = 0  
E
= 10µA, I = 0  
6.0  
V
C
I
I
I
V
V
V
= 60V  
= 40V  
= 4V  
50  
50  
50  
nA  
nA  
nA  
CBO  
CB  
CE  
EB  
Collector Cutoff Current  
CES  
EBO  
Emitter Cutoff Current  
On Characteristics  
h
DC Current Gain  
I
I
= 100µA, V = 1.0V  
100  
100A  
100  
80  
FE  
C
C
CE  
240  
100  
300  
100  
100  
100  
= 10mA, V = 1.0V  
450  
600  
CE  
100A  
I
I
= 100mA, V = 1.0V*  
CE  
C
C
= 150mA, V = 5.0V *  
100  
100A  
350  
CE  
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= 10mA, I = 1.0mA  
0.2  
0.4  
V
V
CE(sat)  
C
C
B
= 200mA, I = 20mA  
B
I
I
= 10mA, I = 1.0mA  
0.85  
1.0  
V
V
BE(sat)  
C
C
B
= 200mA, I = 20mA  
B
Small Signal Characteristics  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
Noise Figure  
V
V
= 20V, I = 20mA  
250  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
C
= 5.0V, f = 1.0MHz  
4.5  
obo  
NF  
I
= 100µA, V = 5.0V  
100  
100A  
5.0  
4.0  
dB  
dB  
C
CE  
R
= 2.0kΩ, f = 1.0KHz  
G
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, November 2002  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PN101 ETC

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 		PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.6
PN101/D10Z TI

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 		65V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
PN101/D10Z-18 TI

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 		65V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
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