是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.75 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 20 A |
集电极-发射极最大电压: | 100 V | 配置: | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE): | 1000 | JEDEC-95代码: | TO-3 |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 4 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PMD16K60 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
PMD16K60 | CENTRAL |
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SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS | |
PMD16K60 | NJSEMI |
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Trans Darlington NPN 60V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | |
PMD16K80 | CENTRAL |
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SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS | |
PMD16K80 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
PMD16K80 | NJSEMI |
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Trans Darlington NPN 80V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | |
PMD16K80#N/A | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, | |
PMD16K80TIN/LEAD | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, | |
PMD1701K | ISC |
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Silicon PNP Darlingtion Power Transistor | |
PMD1701K | CENTRAL |
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Power Transistors |