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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> PHT6N06T
PHT6N06T PDF预览

PHT6N06T

更新时间： 2024-11-10 22:20:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 75K
描述
TrenchMOS transistor Standard level FET

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Philips Semiconductors  
Product specification  
TrenchMOS transistor  
Standard level FET  
PHT6N06T  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode  
logic level field-effect power  
SYMBOL PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
transistor in a plastic envelope  
suitable for surface mounting.  
Using ’trench’ technology the  
device features very low  
on-state resistance and has  
integral zener diodes giving  
ESDprotection. Itisintendedfor  
use in DC-DC converters and  
general purpose switching  
applications.  
VDS  
ID  
Drain-source voltage  
55  
5.5  
2.5  
8.3  
150  
150  
V
A
A
W
˚C  
mΩ  
Drain current (DC) Tsp = 25 ˚C  
Drain current (DC) Tamb = 25 ˚C  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Ptot  
Tj  
RDS(ON)  
Drain-source on-state  
resistance  
VGS = 10 V  
PINNING - SOT223  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
4
gate  
2
drain  
g
3
source  
4
drain (tab)  
s
2
3
1
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
±VGS  
ID  
Drain-source voltage  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55  
55  
20  
5.5  
2.5  
3.8  
1.75  
22  
V
V
V
A
A
A
A
A
A
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
RGS = 20 kΩ  
-
Tsp = 25 ˚C  
Tamb = 25 ˚C  
Tsp = 100 ˚C  
Tamb = 100 ˚C  
Tsp = 25 ˚C  
Tamb = 25 ˚C  
Tsp = 25 ˚C  
Tamb = 25 ˚C  
-
ID  
Drain current (DC)  
IDM  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
-
-
-
10  
Ptot  
8.3  
1.8  
150  
W
W
˚C  
Tstg, Tj  
Storage & operating temperature  
- 55  
ESD LIMITING VALUE  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VC  
Electrostatic discharge capacitor  
voltage  
Human body model  
(100 pF, 1.5 kΩ)  
-
2
kV  
September 1997  
1
Rev 1.000  
1234567...10

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PHT6N06T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BUK98150-55A NEXPERIA

类似代替

 N-channel TrenchMOS logic level FETProduction
BUK78150-55A NXP

类似代替

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PHT6N06LT NXP

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