PHB160NQ08T

更新时间： 2024-02-02 13:34:22

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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13页	88K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET

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PHB160NQ08T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.76
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

PHB160NQ08T 数据手册

PHP/PHB160NQ08T

N-channel TrenchMOS™ standard level FET

Rev. 01 — 28 January 2004

Product data

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect power transistor in a plastic package using

TrenchMOS™ technology.

1.2 Features

■ Standard level threshold

■ Very low on-state resistance.

1.3 Applications

■ Motors, lamps, solenoids

■ DC-to-DC converters

■ Uninterruptable power supplies

■ General industrial applications.

1.4 Quick reference data

■ V_DS≤ 75 V

■ P_tot≤ 300 W

■ I_D≤ 75 A

■ R_DSon≤ 5.6 mΩ.

2. Pinning information

Table 1:

Pin Description

Pinning - SOT78 (TO-220AB) and SOT404 (D²-PAK), simpliﬁed outline and symbol

Simpliﬁed outline

Symbol

gate (g)

[1]

drain (d)

source (s)

mb mounting base;

connected to drain (d)

MBB076

MBK116

MBK106

2 3

SOT404 (D²-PAK)

SOT78 (TO-220AB)

[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.

12 3 4 5 6 7...13

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