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PHB153NQ08LT

更新时间： 2024-01-17 05:39:54

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恩智浦 - NXP		/
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13页	98K
描述
75A, 75V, 0.0066ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3

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PHB153NQ08LT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, D2PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	560 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	75 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.0066 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PHB153NQ08LT 数据手册

PHP/PHB153NQ08LT

N-channel TrenchMOS™ logic level FET

Philips Semiconductors

03aa16

03ap24

120

der

(%)

100

150

200

( C)

100

150

200

( C)

P_tot

I_D

P_der

× 100%

I_der

× 100%

-----------------------

-------------------

tot(25 C)

D(25 C)

Fig 1. Normalized total power dissipation as a

function of mounting base temperature.

Fig 2. Normalized continuous drain current as a

function of mounting base temperature.

03ap17

(A)

Limit R

= V

/ I

DS D

DSon

= 10 s

1 ms

10 ms

100 ms

1 s

(V)

T_mb= 25 °C; I_DMis single pulse; V_GS= 10 V

Fig 3. Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.

9397 750 12721

Product data

Rev. 01 — 31 March 2004

3 of 13

1 234 5 6 7...13

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