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PHB153NQ08LT

更新时间： 2024-02-17 10:38:17

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恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
13页	98K
描述
75A, 75V, 0.0066ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3

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PHB153NQ08LT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, D2PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	560 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	75 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.0066 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PHB153NQ08LT 数据手册

PHP/PHB153NQ08LT

N-channel TrenchMOS™ logic level FET

Philips Semiconductors

03aa33

03aa36

-1

-2

-3

-4

-5

-6

2.5

(A)

GS(th)

(V)

1.5

max

typ

min

typ

max

min

0.5

-60

120

180

T ( C)

(V)

I_D= 1 mA; V_DS= V_GS

T_j= 25 °C; V_DS= 5 V

Fig 9. Gate-source threshold voltage as a function of

junction temperature.

Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of

gate-source voltage.

03ap22

1E+5

(pF)

iss

oss

rss

-1

(V)

V_GS= 0 V; f = 1 MHz

Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.

9397 750 12721

Product data

Rev. 01 — 31 March 2004

7 of 13

1...4 5 678 9 10...13

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