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PHB14NQ20T

更新时间： 2024-02-15 07:33:16

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	66K
描述
TrenchMOS transistor

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PHB14NQ20T 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
雪崩能效等级（Eas）：	70 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A	最大漏极电流 (ID)：	14 A
最大漏源导通电阻：	0.23 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PHB14NQ20T 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

TrenchMOS transistor

PHP14NQ20T, PHB14NQ20T

Transient thermal impedance, Zth j-a (K/W)

Normalised Power Derating

PD%

120

110

100

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

single pulse

0.01

1E-06 1E-05 1E-04 1E-03 1E-02 1E-01 1E+00 1E+01

Pulse width, tp (s)

Tmb /

100 120 140 160 180

Fig.1. Normalised power dissipation.

PD% = 100 P_D/P_{D 25 ˚C}= f(T_mb)

Fig.4. Transient thermal impedance.

Z_{th j-mb}= f(t); parameter D = t_p/T

Drain Current, ID (A)

Normalised Current Derating

ID%

120

110

100

10V

15V

6.5V

6 V

5.5

5 V

VGS=4.5

Tmb /

100 120 140 160 180

Drain-Source Voltage, VDS (V)

Fig.2. Normalised continuous drain current.

ID% = 100 I_D/I_{D 25 ˚C}= f(T_mb); conditions: V_GS≥ 10 V

Fig.5. Typical output characteristics, T_j= 25 ˚C.

I_D= f(V_DS); parameter V_GS

Drain-Source On Resistance, RDS(on) (Ohms)

0.8

Peak Pulsed Drain Current, IDM (A)

1000

4.5V

0.7

RDS(on) = VDS/ ID

100

0.6

tp = 1 us

5.5V

0.5

0.4

10us

10V

100us

1 ms

6.5V

0.3

0.2

0.1

D.C.

10 ms

100 ms

VGS =20 V

0.1

100

1000

Drain-Source Voltage, VDS (V)

Drain Current, ID (A)

Fig.3. Safe operating area. T_mb= 25 ˚C

I_D& I_DM= f(V_DS); I_DMsingle pulse; parameter t_p

Fig.6. Typical on-state resistance, T_j= 25 ˚C.

R_DS(ON)= f(I_D); parameter V_GS

October 1999

Rev 1.000

1 2 345 6 7...10

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