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PHB152NQ03LTA,118

更新时间： 2024-02-29 18:32:11

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恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	81K
描述
PHB152NQ03LTA - N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin

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PHB152NQ03LTA,118 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
雪崩能效等级（Eas）：	560 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.005 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PHB152NQ03LTA,118 数据手册

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PHP/B152NQ03LTA

N-channel TrenchMOS™ logic level FET

Rev. 01 — 05 March 2004

Product data

1. Product proﬁle

1.1 Description

Logic level N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package

using TrenchMOS™ technology.

1.2 Features

■ Logic level threshold

■ Low gate charge

■ Low on-state resistance

■ Low thermal resistance.

1.3 Applications

■ DC-to-DC converters

■ Switched-mode power supplies.

1.4 Quick reference data

■ V_DS≤ 25 V

■ P_tot≤ 150 W

■ I_D≤ 75 A

■ R_DSon≤ 4 mΩ.

2. Pinning information

Table 1:

Pin Description

Pinning - SOT78 (TO-220AB) and SOT404 (D²-PAK), simpliﬁed outlines and symbol

Simpliﬁed outline

Symbol

gate (g)

[1]

drain (d)

source (s)

mb mounting base;

connected to drain (d)

MBB076

MBK116

MBK106

2 3

SOT404 (D²-PAK)

SOT78 (TO-220AB)

[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.

12 3 4 5 6 7...13

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