PH4330L

更新时间： 2024-09-16 10:13:31

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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12页	188K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FET

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PH4330L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, LFPAK-4	针数：	235
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.23	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	121 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	95.9 A	最大漏极电流 (ID)：	95.9 A
最大漏源导通电阻：	0.0043 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-235	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	62.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	IEC-60134	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PH4330L 数据手册

PH4330L

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 01 — 22 October 2008

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology.

1.2 Features and benefits

100 % gate resistance tested

100 % ruggedness tested

Lead-free package

Optimized for use in DC-DC

converters

Very low switching and conduction

losses

Logic level threshold

1.3 Applications

DC-to-DC convertors

PC motherboards

Switched-mode power supplies

Voltage regulators

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 150 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1; see Figure 3

95.9

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge

V_GS= 4.5 V; I_D= 25 A;

V_DS= 12 V; see Figure 11;

see Figure 12

5.4

3.6

Static characteristics

R_DSon

drain-source

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C; see Figure 9; see

Figure 10

4.3

mΩ

on-state resistance

12 3 4 5 6 7...12

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